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【2h】

Characterization and mitigation of 3D mask effects in extreme ultraviolet lithography

机译：在极紫外光刻中表征和减轻3D掩模效应

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Erdmann, A.; Xu, D.; Evanschitzky, P.; Philipsen, V.; Luong, V.; Hendrickx, E.;
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年度 2017
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1. Mitigation of mask three-dimensional induced phase effects by absorber optimization in ArF_i and extreme ultraviolet lithography [J] . Jo Finders, Laurens de Winter, Thorsten Last Journal of microanolithography, MEMS, and MOEMS . 2016,第2期

机译：通过ArF_i中的吸收体优化和极紫外光刻技术减轻掩模的三维诱导相效应
2. Characterization of extreme ultraviolet lithography mask defects by actinic inspection with broadband extreme ultraviolet illumination [J] . Mincheol Park, Moonsuk Yi, Paul Mirkarimi, Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena . 2002,第6期

机译：宽带紫外线照射下光化检查表征极端紫外线光刻掩模缺陷
3. Phase Shift Mask to Compensate for Mask 3D Effect in High-Numerical-Aperture Extreme Ultraviolet Lithography [J] . Jang Yong Ju, Kim Jung Sik, Hong Seongchul, Nanoscience and Nanotechnology Letters . 2016,第9期

机译：相移掩模可补偿高数值孔径极紫外光刻中的掩模3D效果
4. Phase defect mitigation strategy: fiducial mark requirements on extreme ultraviolet lithography mask [C] . Tetsunori Murachi, Tsuyoshi Amano, Sung Hyun Oh Conference on extreme ultraviolet (EUV) lithography III . 2012

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5. Table-top, full-field, actinic microscope for Extreme Ultraviolet Lithography mask characterization. [D] . Brizuela, Fernando. 2010

机译：台式，全视野，光化显微镜，用于极端紫外线光刻掩模表征。
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7. Rigorous Simulations of 3D Patterns on Extreme Ultraviolet Lithography Masks [O] . Burger, S., Zschiedrich, L., Pomplun, J., 2011

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